发明名称 |
成膜装置及成膜方法 |
摘要 |
一种成膜装置(10),能提高形成于氧化物膜上的疏水膜机械阻力。所述成膜装置(10)包括:氧化物膜形成单元(14、15、16),其通过向在真空槽(11)中旋转的基板放出粒子,从而在所述基板上形成被氧化膜,通过向所述被氧化膜照射氧等离子体在所述基板上形成氧化物膜。气相沉积单元(17)将具有水解性的缩聚基与疏水基的硅烷偶联剂气相沉积于所述氧化物膜上。缩聚单元(20),通过向所述旋转基板上的所述氧化物膜供给水,使所述硅烷偶联剂缩聚。所述缩聚单元在所述气相沉积单元于氧化物膜上气相沉积硅烷偶联剂之前,给氧化物膜供水。 |
申请公布号 |
CN101932753A |
申请公布日期 |
2010.12.29 |
申请号 |
CN200980104472.9 |
申请日期 |
2009.04.08 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
山本治彦;国分健二郎 |
分类号 |
C23C28/00(2006.01)I;C23C8/36(2006.01)I;C23C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 |
代理人 |
段迎春 |
主权项 |
一种成膜装置,包括真空槽和旋转机构,所述旋转机构在所述真空槽内使基板旋转,所述成膜装置包括:氧化物膜形成单元,通过向所述旋转基板放出粒子而在所述基板上形成被氧化膜,并通过向所述旋转基板上的所述被氧化膜发射氧等离子体,而在所述基板上形成氧化物膜;气相沉积单元,使具有水解性缩聚基与疏水基的硅烷偶联剂向所述旋转基板蒸发,而在所述氧化物膜上气相沉积所述硅烷偶联剂;及缩聚单元,通过向所述旋转基板上的所述氧化物膜供水,而使所述硅烷偶联剂缩聚;其中所述缩聚单元在所述气相沉积单元在所述氧化物膜上气相沉积所述硅烷偶联剂前,向所述氧化物膜上供水。 |
地址 |
日本国神奈川县 |