| 发明名称 | 用于制造电子器件的方法和电子器件 | ||
| 摘要 | 一种用于制造电子器件的方法，该电子器件具有用于封装该器件的阻挡层，该方法尤其具有如下步骤：提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1)，借助于等离子体增强原子层沉积(PEALD)将至少一个第一阻挡层(3)涂覆在功能层(22)上，以及借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层(4)涂覆在功能层(22)上。 | ||
| 申请公布号 | CN101933174A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200980103673.7 | 申请日期 | 2009.01.29 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | C·施米德;T·施伦克;H·朱尔;R·佩佐尔德;M·克莱因;K·霍伊泽尔 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;李家麟 |
| 主权项 | 一种用于制造电子器件的方法，该电子器件具有用于封装该器件的阻挡层，该方法具有如下步骤： 提供具有至少一个功能层(22)的衬底(1)， 借助于等离子体增强原子层沉积(PEALD)将至少一个第一阻挡层(3)涂覆在功能层(22)上，以及 借助于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将至少一个第二阻挡层(4)涂覆在功能层(22)上。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||