发明名称 一种晶闸管控制触发电路
摘要 本实用新型公开了一种晶闸管控制触发电路,包括脉冲隔离电路、脉冲放大电路、脉冲变压器触发电路,脉冲隔离电路包括单片机CPU、电容C1、电阻R1和光耦U1,脉冲放大电路包括二极管VD1和VD2、电阻R2和R3、电容C2以及N沟道功率MOSFET管VM1,脉冲变压器触发电路包括二极管VD3-VD5、电阻R4-R6、同步变压器T1以及晶闸管SCR。本实用新型采用单片机来产生晶闸管所需要的控制触发脉冲,除具有与数字式控制触发电路相同的优点外,其移相触发角可通过软件计算完成,具有触发电路结构简单、控制灵活、温漂影响小、控制精度可通过软件补偿,移相范围可任意调节等特点,是一种经济实用的晶闸管控制触发电路。
申请公布号 CN201690354U 申请公布日期 2010.12.29
申请号 CN201020208614.6 申请日期 2010.05.25
申请人 中国北车股份有限公司大连电力牵引研发中心 发明人 韩红彬;戴碧君;刘丽;陈铁年;隋德磊
分类号 H02M1/06(2006.01)I 主分类号 H02M1/06(2006.01)I
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人 李洪福
主权项 一种晶闸管控制触发电路包括脉冲隔离电路(1)、脉冲放大电路(2)、脉冲变压器触发电路(3),其特征在于:所述的脉冲隔离电路(1)包括单片机CPU、电容C1、电阻R1和光耦U1,单片机CPU与光耦U1的2号端连接,电容C1的一端连接在单片机CPU与光耦U1之间、另一端接地,电阻R1的一端与光耦U1的3号端连接、另一端接地;所述的脉冲放大电路(2)包括二极管VD1和VD2、电阻R2和R3、电容C2以及N沟道功率MOSFET管VM1,二极管VD1的阳极分别与光耦U1的5号端和电容C2的一端连接、阴极与电源VDD1的负极连接,二极管VD2的阴极分别与光耦U1的8号端和电容另一端C2连接、阳极与电源VDD1的正极连接,电阻R2的一端与二极管VD1的阳极连接、另一端分别与光耦U1的7号端和电阻R3连接,光耦U1的7号端还与光耦U1的6号端连接,功率MOSFET管VM1的G端与电阻R3连接、S端与电阻R2的上端连接、D端与脉冲变压器触发电路(3)中的二极管VD3的阳极连接;所述的脉冲变压器触发电路(3)包括二极管VD3 VD5、电阻R4 R6、同步变压器T1以及晶闸管SCR,同步变压器T1的1号端经电阻R4与二极管VD3的阴极连接、2号端与二极管VD3的阳极连接、3号端与二极管VD4的阳极连接、4号端与二极管VD5的阳极连接,二极管VD3的阴极还与电源VDD2的正极连接,二极管VD5的阴极与二极管VD4的阴极连接,电阻R5与二极管VD5并联,晶闸管SCR的G端经过电阻R6同时与电阻R5的下端、二极管VD5的阴极和二极管VD4的阴极连接,晶闸管SCR的K端同时与电阻R5的上端、二极管VD5的阳极和同步变压器T1的4号端连接。
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