发明名称 真空断路器用电气接点及其制法
摘要 本发明的目的是,提供兼备开断性能和低电涌性能、且多次断路所导致的性能恶化小的电气接点。作为电气接点,由Cr和Cu或Ag中的任意一种和碳化物形成,在以Cu或Ag中任意一种作为主成分的基体中,使用形成周围以碳化物包围的Cr分散的组织的成分。另外,其特征是含有1~30重量%碳化物,其余部分为Cu,另外,其特征是由Cr、Cu和碳化物形成,Cr和碳化物的重量比在1∶1.5~50的范围内。通过包含Cr和Cu或Ag中任意一种,得到充分的开断性能,另外,通过电流开断时的碳化物的升华现象,可以减小截断电流,同时促进电弧驱动,发挥出色的开断性能。而且该碳化物,通过主要包围Cr的周边而存在,可以确保以Cu或Ag中的任意一种为主成分的基体的通电性能,发挥提高所述的低电涌性能的作用。
申请公布号 CN1892956B 申请公布日期 2010.12.29
申请号 CN200610100284.7 申请日期 2006.07.06
申请人 株式会社日立制作所 发明人 菊池茂;森田步;小林将人;梶原悟;马场升
分类号 H01H33/664(2006.01)I;H01H33/06(2006.01)I;H01H1/02(2006.01)I;H01H1/021(2006.01)I;H01H1/0233(2006.01)I;H01H1/025(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22C5/06(2006.01)I;B22F1/00(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F3/12(2006.01)I 主分类号 H01H33/664(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静
主权项 一种电气接点,其特征在于,所述电气接点由Cr、Cu以及碳化物形成,在以所述Cu为主成分的基体中,形成周围以碳化物包围的Cr相分散的组织,其中,所述Cu基体中掺有与所述电气接点的重量比为0.2~1%的Pb。
地址 日本东京都