| 发明名称 | 碳化硅半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括：第一导电类型或第二导电类型的碳化硅衬底(101)；第一导电类型的SiC层(102)，其形成在SiC衬底(101)的第一主表面上；第二导电类型的第一SiC区(103)，其形成在SiC层(102)的表面上；第一导电类型的第二SiC区(104)，其形成在第一SiC区(103)的表面内；栅极电介质(105)，其连续地形成在SiC层(102)、第二SiC区(104)、以及介于SiC层(102)与第二SiC区(104)之间的第一SiC区(103)的表面上；栅极电极(106)，其形成在栅极电介质(105)上；第一电极(108)，其嵌入在沟槽中，该沟槽被选择性地形成在第一SiC区(103)与第二SiC区(104)邻接的部分中；以及第二电极(107)，其形成在SiC衬底(101)的第二主表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN101933146A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200980103571.5 | 申请日期 | 2009.01.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 铃木拓马;河野洋志;四户孝 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于包括：第一导电类型或第二导电类型的碳化硅衬底，其具有彼此相反的第一主表面和第二主表面；第一导电类型的碳化硅层，其形成在所述碳化硅衬底的所述第一主表面上；第二导电类型的第一碳化硅区，其形成在所述碳化硅层的表面上；第一导电类型的第二碳化硅区，其形成在所述第一碳化硅区的表面内；栅极电介质，其连续地形成在所述碳化硅层、所述第二碳化硅区、以及介于所述碳化硅层与所述第二碳化硅区之间的所述第一碳化硅区的表面上；栅极电极，其形成在所述栅极电介质上；第一电极，其嵌入在沟槽中，所述沟槽被选择性地形成在这样的区域中，该区域包括所述第一碳化硅区与所述第二碳化硅区邻接的部分；以及第二电极，其形成在所述碳化硅衬底的所述第二主表面上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||