| 发明名称 | 包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。 | ||
| 申请公布号 | CN101441331B | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200810188142.X | 申请日期 | 2005.08.09 |
| 申请人 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 发明人 | 小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 |
| 分类号 | G02F1/015(2006.01)I;G02F1/01(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)N;H01L21/77(2006.01)N;H01L23/544(2006.01)N;H01L27/12(2006.01)N;H01L29/786(2006.01)N | 主分类号 | G02F1/015(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛 |
| 主权项 | 一种光调制元件，包括两种或更多种光强调制区域，该光强调制区域调制光并且形成预定光强分布，其特征在于，该两种或更多种光强调制区域中的至少一种由两种基本图案组成，该两种基本图案中的第一基本图案包括一组阻光区域和透光区域，并且该两种基本图案中的第二基本图案仅仅包括阻光区域，或者包括一组阻光区域和透光区域，所述第二基本图案中的该阻光区域与该透光区域的面积比大于所述第一基本图案中的该阻光区域与该透光区域的面积比。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||