发明名称 用于制造表面发射激光器的方法
摘要 本发明提供一种能够高度精确地且容易地在半导体内形成光子晶体结构而不用直接接合的制造表面发射激光器的方法。它是通过在基板上层叠包括活性层和其中形成有光子晶体结构的半导体层的多个半导体层的方法,所述方法包括步骤:在第一半导体层上形成第二半导体层以形成光子晶体结构,在第二半导体层中形成多个微孔,经由所述多个微孔在第一半导体层的一部分中形成低折射率部分,从而给第一半导体层提供在平行于基板的方向上具有一维或二维折射率分布的光子晶体结构,以及通过从第二半导体层的表面晶体再生长而形成第三半导体层。
申请公布号 CN101359808B 申请公布日期 2010.12.29
申请号 CN200810129466.6 申请日期 2008.07.31
申请人 佳能株式会社 发明人 井久田光弘
分类号 H01S5/18(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/125(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I 主分类号 H01S5/18(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 康建忠
主权项 一种制造表面发射激光器的方法,用于通过在基板上层叠包含活性层和具有光子晶体结构的第一半导体层的多个半导体层来制造所述表面发射激光器,所述光子晶体结构在平行于所述基板的方向上具有一维或二维折射率分布,所述方法按照如下顺序包括如下步骤:形成第一半导体层;在所述第一半导体层上形成第二半导体层以形成所述光子晶体结构,所述第二半导体层具有比所述第一半导体层低的Al组成比率;在所述第二半导体层中形成与所述第一半导体层接触的多个微孔;经由所述多个微孔在所述第一半导体层的一部分中形成低折射率部分,从而给所述第一半导体层提供所述光子晶体结构,在平行于所述基板的方向上所述低折射率部分具有比所述微孔的截面面积大的截面面积;以及通过从所述第二半导体层的表面晶体再生长而形成第三半导体层。
地址 日本东京