发明名称 |
电子元件装置的制造方法 |
摘要 |
提供一种制造将芯片元件等安装在布线基板上的电子元件装置的方法,该方法生产效率高、能够降低成本、具有稳定的产品质量。把金属纳米粒子浆(1)施加在基板侧电极(23)上;在布线基板(22)和芯片元件(26)对好位置的状态下,施加负荷(30),由此使金属纳米粒子浆(1)一直压缩变形到压缩变形极限厚度(31);接着,加热金属纳米粒子浆(1),由此得到烧结好金属纳米粒子的接合烧结体(6),从而将基板侧电极(23)与芯片侧电极(27)相互接合在一起。 |
申请公布号 |
CN101933129A |
申请公布日期 |
2010.12.29 |
申请号 |
CN200880126141.0 |
申请日期 |
2008.12.25 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
舟木达弥;久米宗一 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
曾旻辉 |
主权项 |
一种电子元件装置的制造方法,具备如下工序:准备具有第一电极的第一电子元件和具有第二电极的第二电子元件;准备含有平均粒径1~100nm的金属纳米粒子、分散剂和分散媒质的金属纳米粒子浆;在所述第一电极和所述第二电极的至少一方上施加所述金属纳米粒子浆的赋浆工序;在将所述金属纳米粒子浆置入在所述第一电子元件和所述第二电子元件之间的状态下,使所述第一电子元件和所述第二电子元件相互对好位置,从而使所述第一电极和所述第二电极相互面对;在使所述第一电子元件和所述第二电子元件相互接近的方向上施加负荷,从而使处于所述第一电极和所述第二电极间的所述金属纳米粒子浆压缩变形至其压缩变形极限厚度;在等于或高于能够除掉含在所述金属纳米粒子浆内的所述分散剂和所述分散媒质的温度而低于构成所述金属纳米粒子的金属的熔点的温度下加热,由此来烧结所述金属纳米粒子,从而使所述第一电极和所述第二电极相互接合。 |
地址 |
日本京都府 |