| 发明名称 | 生长P型SiC半导体单晶的方法和P型SiC半导体单晶 | ||
| 摘要 | 在使p型SiC半导体单晶在SiC单晶基底上生长的方法中，使用其中C溶解在Si熔体中的第一溶液，将Al和N添加到所述第一溶液中，使得添加的Al的量大于添加的N的量，由此制备第二溶液，并由所述第二溶液在SiC单晶基底上生长所述p型SiC半导体单晶。提供了通过上述方法生长的p型SiC半导体单晶，其含有1×1020cm-3的Al和2×1018至7×1018cm-3的N作为杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN101932757A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200980103467.6 | 申请日期 | 2009.01.28 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 关章宪;藤原靖幸 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 林柏楠;彭飞 |
| 主权项 | 一种在SiC单晶基底上生长p型SiC半导体单晶的方法，该方法使用其中C溶解在Si熔体中的第一溶液，包括：将Al和N添加到所述第一溶液中，使得添加的Al的量大于添加的N的量，由此制备第二溶液；和由所述第二溶液在SiC单晶基底上生长所述p型SiC半导体单晶。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||