一次可编程存储单元、存储器及其操作方法

摘要

本发明属于可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其操作方法。该OTP单元包括上电极和下电极，以及置于所述上电极和下电极之间的、作为存储介质层的氧化石墨烯层。该OTP单元的编程操作方法，是在所述上电极和下电极之间偏置编程电信号，使氧化石墨烯层实现在一定加热条件下转变导电的低阻态。该OTP存储器包括一次可编程存储单元阵列，所述一次可编程存储单元阵列包括按行和列排列的多个以上所述的可编程存储单元。本发明的一次可编程存储单元可以用作一次可编程存储器的存储介质层，实现基于氧化石墨烯层的一次可编程存储器。

主权项

一种一次可编程存储单元，包括上电极和下电极，其特征在于，还包括置于所述上电极和所述下电极之间的、作为存储介质层的氧化石墨烯层。