| 发明名称 | 以离子植入的太阳能电池制造中的材料改性 | ||
| 摘要 | 描述一种以离子植入的太阳能电池制造中的材料改性的方法。在一实施例中，提供一种薄膜太阳能电池的形成方法。在此实施例中，提供基板及薄膜层沉积在基板上。薄膜太阳能电池曝露在离子流以钝化缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101933158A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200880126167.5 | 申请日期 | 2008.12.18 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司 | 发明人 | 麦可·X·杨 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种薄膜太阳能电池的形成方法，包括：提供基板；沉积薄膜层于所述基板上；以及曝露所述薄膜层于离子流以钝化缺陷。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州 | ||