支持多内存标准的内存接口电路构架和在MOS工艺上的实施

摘要

本发明属于CMOS集成电路领域，针对CMOS集成电路器件提出一种混合的多模内存接口支持技术，本技术仅在支持DDR2或者DDR3接口电路上进行修改，增加一些辅助电路，对面积和功耗没有明显的增加，便能使其支持4个或更多的内存标准。本适用于CPU，SoC，ASIC和其它采用内存接口的应用芯片的设计，以提高其灵活性和兼容性。本发明描述的实施方法，已经经过两次在65nm工艺流片并验证。对本发明的侵权，一般可以对其实施电路的分析来判断，在无法得到其电路的情况下，可以对其芯片进行解剖、拍照的反向分析方法来判断。可能侵权的机构包括各种有厂、无场的芯片设计公司，研究机构、学校等。

主权项

一个DDR驱动和接收MOS电路结构，其中驱动包括一个带PMOS管偏置的上拉路径和一个带NMOS管偏置的下拉路径；接收包括可实时开关的匹配电阻，一个高灵敏度、大输入信号范围、大共模电平的灵敏放大器。用同一个电路，来实现对多个内存接口标准的支持(包括SDR SDRAM、Mobile SDRAM、DDR2、Mobile DDR)。