发明名称 抛光半导体晶片边缘的方法
摘要 本发明涉及一种用于抛光半导体晶片的边缘的方法,其包括:(a)提供其表面已经被抛光并具有圆形边缘的半导体晶片;(b)将所述半导体晶片固定在中心旋转的卡盘上,传送该半导体晶片和中心旋转的抛光鼓,并将半导体晶片和所述抛光鼓彼此压在一起,同时持续供应不含固体的抛光剂溶液,由此抛光半导体晶片的边缘,其中所述抛光鼓相对于所述卡盘是倾斜的,并且在其上施用含有固着磨料的抛光垫。
申请公布号 CN101930908A 申请公布日期 2010.12.29
申请号 CN201010161897.8 申请日期 2010.04.08
申请人 硅电子股份公司 发明人 J·施万德纳
分类号 H01L21/02(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 过晓东
主权项 一种用于抛光半导体晶片边缘的方法,其包括:(a)提供其表面已经被抛光并具有圆形边缘的半导体晶片;(b)将所述半导体晶片固定在中心旋转的卡盘上,传送该半导体晶片和中心旋转的抛光鼓,并将半导体晶片和所述抛光鼓彼此压在一起,同时持续供应不含固体的抛光剂溶液,由此抛光半导体晶片的边缘,其中所述抛光鼓相对于所述卡盘是倾斜的,并且在其上施用含有固着磨料的抛光垫。
地址 德国慕尼黑