| 发明名称 | 纳米结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 纳米结构(10，10’，10”，10”’)包括高度导电的微晶层(18)、双极纳米线(16)以及另一个层(18，30)。高度导电的微晶层(18)包括微晶材料和金属。使双极纳米线(16)的一个末端附接到高度导电的微晶层(18)，并使其另一个末端附接到其它的层(18，30)。 | ||
| 申请公布号 | CN101933140A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200880126070.4 | 申请日期 | 2008.01.30 |
| 申请人 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 发明人 | S-Y·王;M·R·T·谭 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C23C16/00(2006.01)I;G05F1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种纳米结构(10，10’，10”，10”’)，包括：高度导电的微晶层(18)，所述高度导电的微晶层(18)包括微晶材料和金属；双极纳米线(16)，所述双极纳米线(16)具有一个附接到所述高度导电的微晶层(18)的末端；以及其它的层(18，30)，所述其它的层(18，30)附接到所述双极纳米线(16)的另一个末端。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||