发明名称 |
单光子雪崩二极管及基于此的三维COMS图像传感器 |
摘要 |
本发明属于电子技术以及光电成像技术领域,具体涉及一种单光子雪崩二极管及基于该二极管的三维COMS图像传感器。其技术要点是:本发明的单光子雪崩二极管将传统的矩形感光PN结改进为正八边形,能够方便简单地削弱边缘击穿,提高单光子雪崩二极管的增益均匀性。本发明的基于该二极管的三维CMOS图像传感器的二维像素阵列,是由具有正八形的单光子雪崩二极管的单元像素组成并以蜂窝状的形式排列,因此能够方便地进行插值,增加水平与垂直方向上的分辨率。 |
申请公布号 |
CN101931021A |
申请公布日期 |
2010.12.29 |
申请号 |
CN201010265081.X |
申请日期 |
2010.08.28 |
申请人 |
湘潭大学 |
发明人 |
金湘亮;周晓亚 |
分类号 |
H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/107(2006.01)I |
代理机构 |
湘潭市汇智专利事务所 43108 |
代理人 |
颜昌伟 |
主权项 |
一种单光子雪崩二极管,其特征在于:其感光PN结为正八边形。 |
地址 |
411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘 |