形成沟槽的方法

摘要

本发明公开了一种形成沟槽的方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成沟槽，所述绝缘层包括在半导体衬底上依次形成的刻蚀终止层、低介电常数(Low-K)绝缘材料层和硬掩膜层，该方法包括：在所述硬掩膜层上涂布光阻层；图案化所述光阻层；在刻蚀反应腔内，以图案化的光阻层为掩膜，依次对所述硬掩膜层和Low-K绝缘材料层进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成沟槽；在同一反应腔内分两步对光阻层进行原位灰化处理；所述灰化处理的第一步为采用氮气(N2)对刻蚀反应腔内的残留刻蚀气体进行稀释；所述灰化处理的第二步为采用一氧化碳(CO)或者二氧化碳(CO2)进行灰化。采用该方法能够有效解决台阶状开口(facet top profile)的缺陷。

主权项

一种形成沟槽的方法，用于对半导体器件的绝缘层进行刻蚀，形成沟槽，所述绝缘层包括在半导体衬底上依次形成的刻蚀终止层、低介电常数Low K绝缘材料层和硬掩膜层，其特征在于，该方法包括：在所述硬掩膜层上涂布光阻层；图案化所述光阻层；在刻蚀反应腔内，以图案化的光阻层为掩膜，依次对所述硬掩膜层和Low K绝缘材料层进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成沟槽；在同一反应腔内分两步对光阻层进行原位灰化处理；所述灰化处理的第一步为采用氮气N2对刻蚀反应腔内的残留刻蚀气体进行稀释；所述灰化处理的第二步为采用一氧化碳CO或者二氧化碳CO2进行灰化。