| 摘要 |
금속 카바이드 막들의 형성 방법이 제공된다. 일부 구현예들에 있어서, 전이 금속종과 TMA, DMAH, 또는 TEA와 같은 알루미늄 탄화수소 화합물의 교대하는 펄스들에 기판이 노출된다. 상기 알루미늄 탄화수소 화합물은 알루미늄 농도, 저항률, 부착력 및 내산화성과 같은 상기 금속 카바이드 막의 원하는 성질을 달성하도록 선택된다. 일부 구현예들에 있어서, 상기 방법들은 플래시 메모리에서 컨트롤 게이트의 일함수를 결정하는 금속 카바이드 층을 형성하기 위하여 사용된다. |
