| 发明名称 | 一种增强外延后光刻套准精度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种增强外延后光刻套准精度的方法，包括如下步骤：(1)在外延层生长前进行光刻产生特定的测试图形，该测试图形由一矩形及该矩形的外框图形组成；(2)对外延层的衬底进行干法刻蚀；(3)外延层生长；(4)后续工艺，采用步骤(3)外延层生长后形成的带有光刻标记的衬底来制造各种器件。基于此种方法可以得到更精确和准确的模型补偿值，大大提高外延后的光刻套准精度。 | ||
| 申请公布号 | CN101924013A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200910057423.6 | 申请日期 | 2009.06.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷;吴鹏;阚欢 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种增强外延后光刻套准精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在外延层生长前进行光刻产生特定的测试图形，该测试图形由一矩形及该矩形的外框图形组成；(2)对外延层的衬底进行干法刻蚀；(3)外延层生长；(4)后续工艺，采用步骤(3)外延层生长后形成的带有光刻标记的衬底来制造各种器件。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||