控制蚀刻偏差的方法

摘要

本发明提供一种控制蚀刻偏差的方法，蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值；其中，该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤，首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库，然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤，该自动控制步骤包括如下子步骤：a1.先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值，然后获取对应的蚀刻偏差；a2.搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距；a3.将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。本发明有效克服曝光焦距在使用过程中由于漂移导致这一缺陷；还可以实时监控蚀刻偏差，根据蚀刻偏差实时调整曝光焦距。

主权项

一种控制蚀刻偏差的方法，蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值；其特征在于：该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤，首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库，然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤，其中，所述建立数据库的步骤包括如下子步骤：b1.首先固定曝光能量不变，设定曝光焦距为不同的数值，再进行光刻工艺之后获取ADI CD的测量值；b2.然后进行蚀刻工艺，并获取AEI CD测量值；b3.根据ADI CD测量值和AEI CD测量值获取对应的蚀刻偏差；b4.重复上述步骤b1，b2及b3，建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库；所述自动控制步骤包括如下子步骤：a1.先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值，然后获取对应的蚀刻偏差；a2.搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距；所述最匹配的曝光焦距是指取数据库中与所述获得的实际的蚀刻偏差最接近的蚀刻偏差平均值所对应的曝光焦距；a3.将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。