发明名称 | 具有燕尾形突脊的AlGaInN基激光器 | ||
摘要 | 一种加工能够发射蓝光的激光器的工艺过程,其中,在CAIBE中使用500℃以上的温度和高于500V的离子束来蚀刻GaN晶片,以形成激光器波导和镜面,其中,所述激光器波导具有向内倾斜的侧壁。 | ||
申请公布号 | CN101507062B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
申请号 | CN200780031381.8 | 申请日期 | 2007.07.18 |
申请人 | 宾奥普迪克斯股份有限公司 | 发明人 | A·A·贝法 |
分类号 | H01S3/04(2006.01)I | 主分类号 | H01S3/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 刘佳 |
主权项 | 一种加工激光器的方法,包括:蚀刻包括活性区域的AlGaInN基的半导体晶片以加工出多个激光器;蚀刻所述激光器以形成激光器端部腔面;成角度地蚀刻所述激光器以形成倾斜的突脊侧壁,所述突脊具有底部和燕尾形横截面,所述底部设置在所述激光器结构上且形成在所述活性区域上方;形成用于所述激光器的电接触层;在所述晶片上测试所述激光器,以及此后,单立所述晶片以分离出所述激光器用于封装。 | ||
地址 | 美国纽约州 |