发明名称 去除晶圆表面有机物残留及湿气的方法
摘要 本发明提供一种去除晶圆表面有机物残留及湿气的方法,包括以下步骤:将晶圆置入高真空工艺腔内;对晶圆的正反面同时进行加热;同时,抽取所述高真空工艺腔内的气体,使所述高真空工艺腔内始终保持为高真空环境。本发明方法中,同时对晶圆正反面进行加热,可使晶圆表面吸附的杂质得到充分的蒸发,使得晶圆表面的蒸发效率大大提高,并且避免了晶圆由于加热不均产生开裂。同时由于采用高真空泵对工艺腔内的气体进行抽取,使工艺腔保持在高真空的状态,工艺腔内晶圆表面蒸发出的气体被充分的吸收,避免了晶圆在工艺腔内的二次污染,使得晶圆表面的杂质能够最大限度的被排出。
申请公布号 CN101924012A 申请公布日期 2010.12.22
申请号 CN200910053014.9 申请日期 2009.06.12
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 曾意哲;徐峰;李祥福
分类号 H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种去除晶圆表面有机物残留及湿气的方法,包括以下步骤:将晶圆置入预先形成高真空环境的工艺腔内;在保持工艺腔内为高真空环境的条件下,对晶圆的正反面同时进行加热。
地址 201203 上海市张江路18号