发明名称 |
去除晶圆表面有机物残留及湿气的方法 |
摘要 |
本发明提供一种去除晶圆表面有机物残留及湿气的方法,包括以下步骤:将晶圆置入高真空工艺腔内;对晶圆的正反面同时进行加热;同时,抽取所述高真空工艺腔内的气体,使所述高真空工艺腔内始终保持为高真空环境。本发明方法中,同时对晶圆正反面进行加热,可使晶圆表面吸附的杂质得到充分的蒸发,使得晶圆表面的蒸发效率大大提高,并且避免了晶圆由于加热不均产生开裂。同时由于采用高真空泵对工艺腔内的气体进行抽取,使工艺腔保持在高真空的状态,工艺腔内晶圆表面蒸发出的气体被充分的吸收,避免了晶圆在工艺腔内的二次污染,使得晶圆表面的杂质能够最大限度的被排出。 |
申请公布号 |
CN101924012A |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN200910053014.9 |
申请日期 |
2009.06.12 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
曾意哲;徐峰;李祥福 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种去除晶圆表面有机物残留及湿气的方法,包括以下步骤:将晶圆置入预先形成高真空环境的工艺腔内;在保持工艺腔内为高真空环境的条件下,对晶圆的正反面同时进行加热。 |
地址 |
201203 上海市张江路18号 |