发明名称 |
反应器高度最小化的高集成度分析芯片及其应用 |
摘要 |
本发明涉及微阵列分析芯片、特别是多反应器微阵列芯片。本发明还涉及本发明的微阵列芯片的组成,特别是高度最小化的反应器结构,包括隔离结构、流路结构、及反应室结构。本发明还涉及本发明的微阵列芯片的反应器的保护系统。本发明还涉及芯片标记系统。本发明还涉及本发明芯片的应用及相关检测装置。 |
申请公布号 |
CN1697976B |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN200480000654.9 |
申请日期 |
2004.03.04 |
申请人 |
成都夸常医学工业有限公司;成都夸常科技有限公司 |
发明人 |
邹方霖;陈春生;陈宁;王建霞 |
分类号 |
G01N33/543(2006.01)I;C12Q1/68(2006.01)I |
主分类号 |
G01N33/543(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
过晓东 |
主权项 |
一种分析芯片,其含一个或多个高度最小化的反应器,所述反应器包括一个或多个毛细宽带反应腔室和高度最小化的反应器结构,其中(a)所述毛细宽带反应腔室包括:分别由顶面元件和底面元件提供的宽度大于600μm的顶面和底面、固定在所述顶面和/或底面上的片基探针区内的探针、所述顶面和底面之间高度1 1000μm的封闭式隔离结构及进液口和出液口,且所述顶面和底面的尺寸、间距和材质的选择使得反应介质可以在所述腔室中形成毛细现象;及(b)所述反应器结构至少包括开放式隔离结构,所述开放式隔离结构包括宽度为0.5 10mm的片基空白区以及高度小于1000μm的疏水凸体或高疏水凸体或吸水凸体;其中所述片基探针区和片基空白区在同一片基同一平面上且吸水率小于0.1g/g、表面静态水接触角为40 80度,所述高疏水凸体、疏水凸体或吸水凸体分别为至少部分表面分别含高疏水材料、疏水材料或吸水材料的凸体,所述高疏水材料的表面静态水接触角比所述片基探针区的表面静态水接触角大40度以上,所述疏水材料的表面静态水接触角为55 80度。 |
地址 |
610041 四川省成都市高新区高朋大道5号博士创业园 |