长时间退火的集成电路装置及其制造方法

摘要

本发明尤其涉及通过长时间退火可去除通路板或者通路盖层上的阻挡材料的方法。同时或作为替代，该长时间退火是一种使用阻挡材料(110)涂覆轨迹(106)的简单和直接的方法。

主权项

一种集成电路装置，包括导电的且依照晶粒结构构造的导电结构，其特征在于导电阻挡材料层设置在所述导电结构的晶界区域中，并且在该导电结构中沿着晶界设置至少5nm的距离；且其特征在于：该电路装置包含具有多个半导体元件的衬底；所述导电结构是以邻接通路导电结构的方式设置在衬底与该通路导电结构之间的互连；该通路导电结构的侧壁邻接阻挡材料层；并且在所述通路导电结构和互连之间没有设置连续的阻挡材料层，或者没有设置厚度大于1纳米的阻挡材料层。