| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括：提供设有有源区和有源区周围的浅沟槽隔离的半导体衬底，所述有源区上设有栅极；在所述半导体衬底上至少形成覆盖所述栅极和浅沟槽隔离的第一介质层和第一介质层上的第二介质层；刻蚀所述第二介质层以在栅极两侧的第一介质层外形成第二侧墙介质层；在所述栅极两侧的半导体衬底上形成源极和漏极；形成覆盖栅极、源极和漏极的金属硅化物阻挡层，以所述金属硅化物阻挡层为掩蔽层在所述源极和漏极上形成金属硅化物层；形成金属硅化物层之后去除所述金属硅化物阻挡层。本发明所提供的半导体器件的制造方法，能够减少形成侧墙的工艺中湿法刻蚀对浅沟槽隔离造成的损伤，避免浅沟槽隔离的凹坑缺陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101599459B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200810114314.9 | 申请日期 | 2008.06.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 魏莹璐;何学缅 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供设有有源区和有源区周围的浅沟槽隔离的半导体衬底，所述有源区上设有栅极；在所述半导体衬底上至少形成覆盖所述栅极和浅沟槽隔离的第一介质层和第一介质层上的第二介质层；刻蚀所述第二介质层从而在栅极两侧的第一介质层外形成第二侧墙介质层；在所述栅极两侧的半导体衬底上形成源极和漏极；以覆盖栅极、源极和漏极的第一介质层构成的金属硅化物阻挡层作为掩蔽层在所述源极和漏极上形成金属硅化物层；形成金属硅化物层之后去除所述金属硅化物阻挡层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||