| 发明名称 | 浅沟槽隔离区形成方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离区形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成浅沟槽；沉积部分隔离层，所述部分隔离层覆盖所述浅沟槽；对沉积部分隔离层后的半导体基底执行刻蚀操作，以形成隔离分层，所述刻蚀操作涉及的刻蚀气体中包含氨气；顺序形成后续隔离分层，以在填充所述浅沟槽后形成浅沟槽隔离区。可减少形成过程中所述浅沟槽的侧壁及顶角受到的损伤，进而使降低包含所述浅沟槽隔离区的器件的漏电流成为可能。 | ||
| 申请公布号 | CN101459113B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200710094519.0 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张文广;郭佳衢 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离区形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成浅沟槽；沉积部分隔离层，所述部分隔离层覆盖所述浅沟槽；对沉积部分隔离层后的半导体基底执行刻蚀操作，以形成隔离分层，所述刻蚀操作涉及的刻蚀气体中包含氨气；顺序形成后续隔离分层，以在填充所述浅沟槽后形成浅沟槽隔离区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||