| 发明名称 | 二氧化硅质粉末、其制造方法以及用途 | ||
| 摘要 | 提供适于调制半导体封装材料等的二氧化硅质粉末、以及其制造方法。优选吡啶的弗罗因德利希吸附常数K为1.3～5.0的二氧化硅质粉末，特别优选SiO2、Al2O3、以及B2O3的含有率(氧化物换算)的总计为99.5质量％以上，Al2O3和B2O3的含有率的总计为0.1～20质量％。进而，提供二氧化硅质粉末的制造方法，将至少两根燃烧器以相对于炉体的中心轴为2～10°的角度配置到炉体中，从一根燃烧器向火焰喷射原料二氧化硅质粉末，从至少一根燃烧器向火焰喷射Al源物质和/或B源物质。另外，提供含有上述二氧化硅质粉末或无机质粉末的树脂组合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101925534A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200980103263.2 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 电气化学工业株式会社 | 发明人 | 西泰久;佐佐木修治;村田弘 |
| 分类号 | C01B33/18(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08L63/00(2006.01)I;C08L101/00(2006.01)I;C09K3/10(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种二氧化硅质粉末，其特征在于，吡啶的弗罗因德利希吸附常数K为1.3～5.0。 | ||
| 地址 | 东京都 | ||