Magnetic tunneling junction cell having free magnetic layer with low magnetic moment and magnetic random access memory having the same,申请号EP20040257001-传众专利搜索

发明名称	Magnetic tunneling junction cell having free magnetic layer with low magnetic moment and magnetic random access memory having the same
摘要
申请公布号	EP1531481(B1)	申请公布日期	2010.12.22
申请号	EP20040257001	申请日期	2004.11.11
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	KIM, TAE-WAN;PARK, SANG-JIN;HWANG, IN-JUN
分类号	H01F10/32;H01L21/8246;H01L43/08;G11C11/16;H01L27/105;G11C11/15;H01F10/13	主分类号	H01F10/32
代理机构		代理人
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