一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM

摘要

本发明属于嵌入式动态随机存储器(eDRM)技术领域，具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明提供的增益单元eDRAM在存储节点和开关管的栅极之间增加一个隔离MOS管。加入隔离MOS管后，存储节点的电位产生波动并不会直接传输至开关管的栅极。因此，本发明的增益单元eDRAM所控制的可编程逻辑器件的开关管的状态稳定，不受增益单元eDRAM的刷新操作影响。

主权项

一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容；写MOS晶体管的栅极连接于写字线，写MOS晶体管的漏端/源端连接于写位线，写MOS晶体管的源端/漏端连接于所述等效寄生电容的存储电荷端，读MOS晶体管的栅极连接于所述等效寄生电容的存储电荷端，读MOS晶体管的漏端/源端连接于读位线，读MOS晶体管的源端/漏端连接于读字线；其特征在于，还包括置于所述等效寄生电容与开关管的栅极之间的隔离MOS管，所述等效寄生电容的存储电荷端通过隔离MOS管传输电平控制所述可编程逻辑器件的开关管的状态。