具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件

摘要

本发明涉及一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件，包括衬底及沉积于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层自下而上包括N型层、发光层及P型层，P型层的上表面设置有P型电极，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层，露出的部分N型层上设置有N型电极，该半导体发光二极管器件内设有提高出光面出光效率的高反射层，且该高反射层包括由高折射率材料与低折射率材料周期性排列而成的光子晶体层及位于光子晶体层背面的低折射率材料层。本发明能有效地提高器件的出光效率。

主权项

一种具有光子晶体高反射层的半导体发光二极管器件，包括衬底(1)及沉积于衬底(1)上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层自下而上包括N型层(3)、发光层(4)及P型层(5)，P型层(5)的上表面设置有P型电极(6)，部分半导体外延叠层被刻蚀并露出部分N型层(3)，露出的部分N型层(3)上设置有N型电极(7)，其特征在于：该半导体发光二极管器件内设有提高出光面出光效率的高反射层(2)，且该高反射层(2)包括由高折射率材料(12)与低折射率材料(13)周期性排列而成的光子晶体层(14)及位于光子晶体层(14)背面的低折射率材料层(15)，出光面进行粗化或制作有周期性排列的光子晶体结构。