| 发明名称 | 改善微反射镜间介质层缺陷及制作硅基液晶显示器的方法 | ||
| 摘要 | 一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上沉积介质层，且介质层填充满沟槽；对介质层进行酸蚀；在介质层上形成光阻层；蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。本发明还提供一种制作硅基液晶显示器的方法。本发明对介质层进行酸蚀，使介质层在沟槽处的开口高宽比及开口宽度增大，进而在后续蚀刻工艺中在与沟槽相接的金属层上不产生绝介质层侧墙，减少了微反射镜漫反射，提高微反射镜反射率。 | ||
| 申请公布号 | CN101315501B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200710041354.0 | 申请日期 | 2007.05.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 向阳辉;曾贤成 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种改善微反射镜间介质层缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；在金属层上沉积介质层，且介质层填充满沟槽；对介质层进行酸蚀，使介质层在沟槽处的开口宽度从10000埃～13000埃增大至20000埃～25000埃；在介质层上形成光阻层；蚀刻光阻层和介质层至露出金属层，形成微反射镜阵列。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||