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发明名称
METHOD FOR USING A MEMORY CELL COMPRISING SWITCHABLE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH TRIMMABLE RESISTANCE
摘要
申请公布号
EP1929525(B1)
申请公布日期
2010.12.22
申请号
EP20060815745
申请日期
2006.09.27
申请人
SANDISK 3D LLC
发明人
KUMAR, TANMAY;HERNER, BRAD, S.;PETTI, CHRISTOPHER, J.;SCHEUERLEIN, ROY, E.
分类号
H01L27/10;G11C11/56;H01L27/24
主分类号
H01L27/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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