| 发明名称 | 太阳电池元件和太阳电池元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种减少了成为太阳电池元件的破裂的原因的半导体基板的翘曲且高特性的太阳电池元件及其制造方法。为了实现所述的目的，太阳电池元件(10)具有太阳电池元件形成用的半导体基板(1)；形成在所述半导体基板的非受光面上，以铝为主成分，具有获得集电效果的最小限度的厚度的集电电极(4)；以及覆盖所述集电电极的钝化膜(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN101199060B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200680021880.4 | 申请日期 | 2006.06.15 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 福井健次 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 一种太阳电池元件的制造方法，包括：第一工序，在具有受光面和非受光面的硅基板的非受光面上，形成包含铝的集电电极材料层；第二工序，按照覆盖所述集电电极材料层的至少一部分的方式形成含有氢的钝化膜；以及第三工序，对形成有所述含有氢的钝化膜的所述集电电极材料层进行煅烧。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||