| 发明名称 | 一种金属槽的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属槽的制作方法，用于制作顶层金属槽，该方法包括以下步骤：1、在硬掩模层上涂敷光阻，等离子体蚀刻硬掩模层；2、等离子体蚀刻掩模层下的硅基底层形成预设深度金属槽；其中，步骤2中蚀刻硅基底层分三步进行：21、进行主蚀刻，蚀刻硅基底层形成小于预设深度的金属槽；22、去除硬掩模层上光阻，23、进行过蚀刻，进一步蚀刻硅基底层形成预设深度的金属槽；主蚀刻和过蚀刻均在预设强度的磁场中进行。通过采用主蚀刻和过蚀刻，同时辅以磁场分两步完成硅基底层上的金属槽的蚀刻，可解决传统金属槽的制作方法存在的条纹边缘问题，提高制作的金属槽深度的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101567315B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200810036584.2 | 申请日期 | 2008.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邹晓东;周鸣 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种金属槽的制作方法，用于制作顶层金属槽，所述顶层金属槽制作在硅基底层上，所述硅基底层上覆盖有一层硬掩模层，所述金属槽的制作包括以下步骤：a、在所述硬掩模层上涂敷光阻，等离子体蚀刻硬掩模层；b、等离子体蚀刻所述硬掩模层下的硅基底层形成预设深度的金属槽；其特征在于，步骤b中蚀刻硅基底层分三个步骤进行：b1、进行主蚀刻，蚀刻硅基底层形成小于预设深度的金属槽；b2、去除所述硬掩模层上光阻；b3、进行过蚀刻，进一步蚀刻硅基底层形成预设深度的金属槽；所述主蚀刻和过蚀刻均在预设强度的磁场中进行，所述过蚀刻采用的蚀刻介质相对主蚀刻采用的蚀刻介质具有高的选择比，不会对硬掩模层材料造成损伤，仅蚀刻硅基底层的材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||