| 发明名称 | 调适存储器系统中的字线脉冲宽度 | ||
| 摘要 | 本发明揭示用于调适存储器系统中使用的字线(WL)脉冲宽度的系统、电路和方法。本发明的一个实施例针对一种包括存储器系统的设备。所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联WL脉冲宽度的字线(WL)脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应WL控制电路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，所述自适应WL控制电路经配置以基于所述BIST单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN101925963A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200880125490.0 | 申请日期 | 2008.12.15 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 穆罕默德·H·阿布-拉赫马;杨赛森 |
| 分类号 | G11C29/50(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种包括存储器系统的设备，所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联字线(WL)脉冲宽度的WL脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应WL控制电路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，所述自适应WL控制电路经配置以基于所述BIST单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||