发明名称 |
集成电路金属层制程方法 |
摘要 |
一种集成电路金属层制程方法,其步骤为先取一基板,于该基板一面上涂布感光形介电材料,并以显影方式使感光型介电材料于基板一面上形成多数感光型介电层,且于各感光型介电层之间以非全面性涂布方式填充有导体层,之后再将该导体层加以磨平,使其与各感光型介电层位于同样高度,即可完成集成电路金属层的制作。藉此,可达到制程简化、易于批量生产以及降低制作成本的功效。 |
申请公布号 |
CN101924061A |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN200910303143.9 |
申请日期 |
2009.06.11 |
申请人 |
戴维斯 |
发明人 |
戴维斯 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 |
代理人 |
何为;李宇 |
主权项 |
一种集成电路金属层制程方法,其特征在于包含下列步骤:步骤一:取一基板,于该基板一面上涂布感光型介电材料;步骤二:以显影方式使感光型介电材料于基板一面上形成多数感光型介电层;步骤三:于各感光型介电层之间以非全面性涂布方式填充有导体层;以及步骤四:将该导体层加以磨平,使其与各感光型介电层位于同样高度,如此,即可完成集成电路金属层的制作。 |
地址 |
中国台湾台北县新店市平等街46巷4号3楼 |