集成电路结构

摘要

本发明的集成电路结构，包括半导体基板；多个绝缘区，位于半导体基板上；以及外延区，位于半导体基板上，且至少部分外延区位于所述多个绝缘区之间的空间中。外延区包括III-V族化合物半导体材料。外延区包括下层部分，与位于下层部分上的上层部分。下层部分与半导体基板之间具有第一晶格不匹配数值。上层部分与半导体基板具有第二晶格不匹配数值，且第一晶格不匹配数值不同于第二晶格不匹配数值。本发明的实施例提供低成本的工艺，以低成本的渐变式工艺调整III-V族化合物半导体材料的组成，可生长高迁移率与低缺陷的III-V族化合物半导体材料。

主权项

一种集成电路结构，包括：一半导体基板；多个绝缘区，位于该半导体基板上；以及一外延区，位于该半导体基板上，且至少部分该外延区位于所述多个绝缘区之间的空间中，其中该外延区包括一第一III V族化合物半导体材料，且其中该外延区还包括：一下层部分，其中该下层部分与该半导体基板之间具有一第一晶格不匹配数值；以及一上层部分，位于该下层部分上，其中该上层部分与该半导体基板具有一第二晶格不匹配数值，且该第一晶格不匹配数值不同于该第二晶格不匹配数值。