| 发明名称 | 掩蔽方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及掩蔽半导体衬底(1)的方法，包括以下步骤：提供平面半导体衬底(1)，所述平面半导体衬底(1)具有第一侧面(2)以及与所述第一侧面相反的第二侧面(3)；将掩模(4)施加到所述侧面(2，3)中的至少一个；使用挤出印刷方法来施加所述掩模(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN101924032A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN201010205176.2 | 申请日期 | 2010.06.13 |
| 申请人 | 太阳世界创新有限公司 | 发明人 | H·诺伊豪斯;A·克劳泽;B·比特纳尔;F·班伯格;R·施洛瑟 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种掩蔽半导体衬底(1)的方法，包括以下步骤：a.提供平面半导体衬底(1)，所述平面半导体衬底(1)具有：i.第一侧面(2)；以及ii.第二侧面(3)，其与所述第一侧面(2)相反，b.将掩模(4)施加到所述侧面(2，3)中的至少一个，c.使用挤出印刷方法来施加所述掩模(4)。 | ||
| 地址 | 德国萨克森州 | ||