| 发明名称 | 光电装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电装置及其制造方法，其包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；多个光电转换层，设置在所述第一电极上，且包括受光层；第二电极，设置在所述多个光电转换层上；其中，包括在所述多个光电转换层中至少一个光电转换层的受光层包括：第一子层，含有氢化非晶硅；第二子层，含有氢化原晶硅；所述第一子层的厚度和所述第二子层的厚度实质上相同。 | ||
| 申请公布号 | CN101924148A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN201010153930.2 | 申请日期 | 2010.04.23 |
| 申请人 | 韩国铁钢株式会社 | 发明人 | 明承烨 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 葛强;邬玥 |
| 主权项 | 一种光电装置，包括：基板(100)；第一电极(210)，设置在所述基板(100)上；多个光电转换层(230 1、230 2)，设置在所述第一电极上，且包括受光层(233 1、233 2)；第二电极(250)，设置在所述多个光电转换层(230 1、230 2)上；其中，包括在所述多个光电转换层(230 1、230 2)中至少一个所述光电转换层(230 2)的受光层包括：第一子层(233 2a)，含有氢化非晶硅；第二子层(233 2b)，含有氢化原晶硅；且所述第一子层(233 2a)的厚度与第二子层(233 2b)的厚度实质上相同。 | ||
| 地址 | 韩国庆尙南道 | ||