发明名称 |
薄膜晶体管及液晶显示设备 |
摘要 |
本发明的薄膜晶体管的制备方法包括步骤:(i)通过施加电极原料的微滴形成其中形成有源极和漏极的电极形成区域,(ii)施加电极原料的微滴到远离半导体层的形成区域的滴落位置之上,并施加电极原料的微滴于电极形成区域中,以及(iii)在电极形成区域中形成源极和漏极。通过采用这种设置,在通过施加电极原料的微滴形成源极和漏极中,可以确定地避免每一电极之间通道部分上溅射微滴的粘附。 |
申请公布号 |
CN101393935B |
申请公布日期 |
2010.12.22 |
申请号 |
CN200810173804.6 |
申请日期 |
2003.07.23 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
藤井晓义;中林敬哉 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
陈瑞丰 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,其包括:(i)半导体层,其面向栅极,并且在所述半导体层和所述栅极之间存在栅绝缘层;(ii)源极和漏极,其与半导体层电连接,以及(iii)源极和漏极之间的沟道部,其中:源极通过源过渡部分与源线相连,并且漏极通过漏过渡部分与漏线相连;以及源过渡部分和漏过渡部分位于半导体层的形成区域之外;以及源过渡部分从源线朝半导体层的形成区域逐渐变宽,和/或漏过渡部分从漏线朝半导体层的形成区域逐渐变宽。 |
地址 |
日本国大阪府大阪市阿倍野区长池町22番22号545-8522 |