| 发明名称 | 集成无源器件衬底 | ||
| 摘要 | 本说明书描述在用氧化物层覆盖的硅衬底上形成的一种集成无源器件(IPD)。通过在硅表面内形成陷阱中心来使在硅/氧化物界面上不希望有的累积电荷变成固定的。由介入在硅衬底和氧化物层之间的多晶硅层产生陷阱中心。 | ||
| 申请公布号 | CN101118880B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200710085789.5 | 申请日期 | 2007.03.16 |
| 申请人 | 赛骑有限公司 | 发明人 | 尹农·德干尼;于·凡;查利·C·高;毛利恩·劳;坤全·孙;利果·孙 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 一种用于制造集成无源器件IPD的方法，包括步骤：a.提供本征单晶硅晶片，所述本征单晶硅晶片具有高于500欧姆厘米的电阻率，b.在本征单晶硅晶片上形成多晶硅层，以形成包括本征单晶硅晶片和多晶硅层的组合件的复合衬底，所述多晶硅层具有至少0.1微米且小于50微米的厚度并提供电荷载流子陷阱中心，c.在复合衬底的多晶硅层上形成绝缘层，和d.在绝缘层上形成至少一个薄膜无源器件。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||