发明名称 | 一种等离子体浸没注入装置 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体处理技术和设备领域,具体涉及一种等离子体浸没注入装置,包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统,所述基片台上方设有栅电极。本发明通过在现有装置中增加栅电极,使基片台上方特别是基片上方的电场分布变成了两个平行板之间的电场分布;当栅电极接地时,基片上方的偏压电场分布垂直于基片表面,平行且均匀,使得穿过栅电极的离子在电场加速下垂直注入到基片中,而不存在注入离子聚焦效应,从而可以使离子注入均匀。 | ||
申请公布号 | CN101922046A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
申请号 | CN201010269027.2 | 申请日期 | 2010.09.01 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 汪明刚;夏洋;李超波;刘杰;李勇滔;陈瑶;赵丽莉 |
分类号 | C30B31/22(2006.01)I | 主分类号 | C30B31/22(2006.01)I |
代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
主权项 | 一种等离子体浸没注入装置,包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统,其特征在于:所述基片台上方设有栅电极。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |