半导体结构及其制造方法

摘要

在各种实施例中，公开了半导体结构和制造这些半导体结构的方法。在一个实施例中，结构包括电介质材料和在衬底的表面以下的空穴。该结构还包括在电介质材料之上，在第一空腔之上的掺杂电介质材料，其中至少部分的电介质材料在至少部分的衬底与至少部分的掺杂电介质材料之间。公开和要求了其它实施例。

主权项

一种结构，包含：第一电介质材料和第一空穴，在衬底表面之下；以及掺杂电介质材料，在所述第一电介质材料之上，在所述第一空穴之上，其中至少部分的所述第一电介质材料在至少部分的所述衬底与至少部分的所述掺杂电介质材料之间。