| 发明名称 | 多晶硅栅极的刻蚀方法以及半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅栅极的刻蚀方法，包括：对用于形成多晶硅栅极的多晶硅层进行主刻蚀，去除大部分的多晶硅层，所用的刻蚀气体包括氯气或者溴、HBr以及He气和O2的混合物；对所述的多晶硅层进行过刻蚀，去除其余的多晶硅层，所用的刻蚀气体包括HBr、N2以及He气和O2的混合物。所述的多晶硅栅极的刻蚀方法调整所述的刻蚀气体的组分以及含量，避免对多晶硅栅极的底面部分的过度刻蚀，避免了底切现象的发生。本发明还提供一种半导体器件的制作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101924024A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200910053015.3 | 申请日期 | 2009.06.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄晶 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种多晶硅栅极的刻蚀方法，包括：对用于形成多晶硅栅极的多晶硅层进行主刻蚀，去除大部分的多晶硅层，所用的刻蚀气体包括氯气或者溴、HBr以及He气和O2的混合物；对所述的多晶硅层进行过刻蚀，去除其余的多晶硅层，所用的刻蚀气体包括HBr、N2以及He气和O2的混合物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||