真空处理装置、偏置电源和操作真空处理装置的方法

摘要

一种用于处理至少一个基板(12)的真空处理装置(10)，包括处理室(14)、至少一个阴极(16)、与该阴极相关联、用于产生在该室中以气相存在的物质的离子和/或形成该阴极的物质的离子的电源(18)、基板托架(20)和偏置电源，该偏置电源用于向该基板托架和出现在该基板托架上的任何基板施加负偏置，从而将所述离子吸引至所述至少一个基板，所述阴极电源适于以获得可以与在例如ca.1kW到100kW功率范围内的DC操作相比的较低平均功率水平的间隔向所述阴极施加持续时间相对较短的相对较高功率的脉冲，其特征在于：该偏置电源适于允许偏置电流以通常对应于该平均功率水平的水平流动；具有相对较低感抗和阻抗的附加电压源，该附加电压源与该偏置电源相关联，用于在向所述至少一个阴极施加所述相对较高的功率脉冲时，供应适于所述相对较高功率的脉冲的功率的偏置电压。

主权项

一种用于处理至少一个基板(12)的真空处理装置(10)，包括处理室(14)、至少一个阴极(16)、与该阴极相关联的、用于产生在该室中以气相存在的物质的离子和/或形成该阴极的物质的离子的电源(18)、基板托架(20)和DC偏置电源(32)，该DC偏置电源用于向该基板托架和该基板托架上存在的任何基板施加负偏置，从而将所述离子吸引至所述至少一个基板，所述阴极电源(18)适于以得到可与在从ca.1KW到100KW范围内的DC操作相比的较低平均功率水平的间隔向所述阴极施加持续时间相对较短的相对较高功率的脉冲，其特征在于：该DC偏置电源(32)适于保持所述基板托架处的恒定偏置电压，并允许偏置电流以通常对应于平均功率或电流水平的水平流动；并且具有相对较低感抗和阻抗的附加恒定电压源(60)与该DC偏置电源(32)相关联，该附加电压源(60)用于供应与所述恒定偏置电压相对应且适于在所述高功率脉冲期间向所述至少一个阴极(16)施加的相对较高功率的功率的偏置电压。