一种存储器装置及用于制造一集成电路装置的方法

摘要

本发明公开了一种存储器装置及用于制造一集成电路装置的方法。该方法包含：形成包含硅的一半导体主体，并在此半导体主体内形成多个沟道以定义半导体线，其具有硅且位于相邻沟道之间，且此半导体线具有侧壁。接着一硅化物先驱物被沉积于此沟道内至接触此半导体线的此侧壁，且一部份的此硅化物先驱物被移除以暴露出此侧壁的上半部并沿着此侧壁留下残留的硅化物先驱物长带。然后，硅化物先驱物的此长带与此半导体线的硅之间的反应被引发，并形成硅化物导体。

主权项

一种用于制造一集成电路装置的方法，其特征在于，该方法包含：形成包含硅的一半导体主体；在该半导体主体内形成多个沟道以定义半导体线，其具有硅且位于相邻沟道之间，且该半导体线具有侧壁；沉积一硅化物先驱物于该沟道内至接触该半导体线的该侧壁；移除一部份的该硅化物先驱物以暴露出该侧壁的上半部并沿着该侧壁留下残留的硅化物先驱物长带；且利用引发硅化物先驱物的该长带与该半导体线的硅之间的反应，形成硅化物导体。