| 发明名称 | 提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的光学临近修正图形 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的光学临近修正图形，该图形由三部分组成：两端部分和中间部分；其中两端部分大小相同，且两端部分分别拆分为两个有一定间距的小孔的结构；中间部分为一整个矩形结构，或者拆分为两个有一定间距的矩形；两端部分与中间部分有一定的间距。本发明可以提高Si/Ge器件中发射极窗口的图形保真度，从而降低由于发射极窗口形状变化引起的Si/Ge器件的截止频率和放大系数的变化。 | ||
| 申请公布号 | CN101923280A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200910057425.5 | 申请日期 | 2009.06.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的光学临近修正图形，其特征是，该图形由三部分组成：两端部分和中间部分；其中两端部分大小相同，且两端部分分别拆分为两个有一定间距的小孔的结构；中间部分为一整个矩形结构，或者拆分为两个有一定间距的矩形；两端部分与中间部分有一定的间距。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||