| 发明名称 | 快速检测外延图形漂移缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种快速检测外延图形漂移缺陷的方法，包括如下步骤：(1)光刻；(2)刻蚀定义出离子注入区图形；(3)采用小分子量利于低温激活的离子注入源进行离子注入，如硼，磷或砷离子注入；(4)去胶；(5)外延生长，对步骤(3)的注入离子进行激活；(6)怀特刻蚀；(7)用电子扫描电镜观测外延图形漂移缺陷。该方法可以简化整个检测流程，直接利用外延生长的温度对注入离子进行激活，可以快速有效地检测外延图形漂移缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101924052A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200910057413.2 | 申请日期 | 2009.06.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 杨欣;孙勤 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N21/956(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王函 |
| 主权项 | 一种快速检测外延图形漂移缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)光刻；(2)刻蚀定义出离子注入区图形；(3)采用小分子量利于低温激活的离子注入源进行离子注入，所述低温为1150℃以下；(4)去胶；(5)外延生长，对步骤(3)的注入离子进行激活；(6)怀特刻蚀；(7)用电子扫描电镜观测外延图形漂移缺陷。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||