| 发明名称 | 晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管和一种制造所述晶体管的方法。所述晶体管包含形成于衬底在栅极电极的两侧处的凹进部分中的SiGe外延层，以及形成于所述SiGe外延层上的SiGe盖层。所述晶体管进一步包含形成于所述SiGe外延层下的SiGe种子层，以及形成于所述SiGe盖层上的硅盖层。 | ||
| 申请公布号 | CN101425534B | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200810171940.1 | 申请日期 | 2008.10.24 |
| 申请人 | 周星工程股份有限公司 | 发明人 | 杨彻勋;全容汉 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种晶体管，其包括：形成于衬底上的栅极电极；第一外延层，其含有Ge，且形成于所述衬底在所述栅极电极的两侧处的凹进区域中；以及第二外延层，其Ge浓度低于所述第一外延层的浓度，且形成于所述第一外延层的下和上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||