| 发明名称 | 控制互连线之间介质层中空洞高度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，1)在形成互连线之后，采用PECVD淀积SiO2，使得一部分互连线之间形成闭合空洞，另一部分互连线之间形成未闭合的空洞；2)采用HDPCVD淀积SiO2，填充步骤1)中未闭合的空洞，使所有空洞顶部高度不超过较小间距互连线之间最高空洞顶部高度。本发明方法使得CMP之后不再出现互连线之间的空洞被磨到露出来的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101924060A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN200910057406.2 | 申请日期 | 2009.06.11 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 彭虎;谢烜;程晓华;彭仕敏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种控制互连线之间介质层中空洞高度的方法，其特征在于，在形成互连线之后，包括以下步骤：1)采用PECVD淀积SiO2，使得一部分互连线之间形成闭合空洞，另一部分互连线之间形成未闭合的空洞；2)采用HDPCVD淀积SiO2，填充步骤1)中未闭合的空洞，使所有空洞顶部高度不超过较小间距互连线之间最高空洞顶部高度。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||