制造n型多晶硅太阳能电池的方法

摘要

本发明提供一种制造由n型多晶硅衬底制成的多晶硅衬底的HIT结构的方法。首先，在较高温度下对n型多晶硅衬底进行磷扩散步骤。而后去除正面的扩散层。通过该磷扩散处理，在锭铸造期间所包括的如铁等的杂质被吸除并且体特性得到提高。磷扩散层还充当用于提升电压的后表面场以及具有低电阻率的后接触部。下一步，在衬底的正面沉积p型硅薄膜。由于这种特定顺序，可避免在比其沉积温度高的温度下加热p型硅薄膜，并因此保持p型硅薄膜的质量。

主权项

一种制备太阳能电池的方法，包括： 提供具有正面和背面的n型多晶硅衬底，所述正面是光入射面； 将磷扩散到所述衬底的两面中，从而在所述正面上提供扩散层并在所述背面上提供扩散层； 在所述背面的所述磷扩散层上沉积包含氢的介电膜； 去除所述正面的所述扩散层； 在去除所述扩散层之后，对所述衬底的所述正面进行纹理化，以及然后 在所述正面上沉积p型硅薄膜。